1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)， 漏极（Drain—D）

漏源电压（Vdss） 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 33A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 44mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 130W
类型 N沟道

 IRF540N（NMOS管）应用电路

MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。说白了，给箭头方向相反的压降就是导通，方向相同就是截止

 可以在单片机和栅极之间加一个1k的电阻，起到限流作用；

 此外，可以栅极和源极之间加一个10k的电阻，一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S

 参考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html

2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

漏源电压（Vdss） -100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 23A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 117mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 140W
类型 P沟道

 IRF9540N（PMOS管）应用电路

 

 

3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A

跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。

漏源电压（Vdss） -100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 19A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 200mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 150W(Tc)
类型 P沟道

转自：
https://www.cnblogs.com/cai-zi/p/13801530.html