一、MOS管工作原理

在现代电子电路设计中,MOS管无疑是最常用的电子元件之一。
功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。

1、MOS管寄生电容形成的原因

1.势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行,最终使扩散运动达到平衡)。

2.扩散电容:当外加正向电压时,靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高,远离非平衡少子浓度低,且浓度自高到底逐渐衰减直到0。当外加正向电压增大时,非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大,外加电压减小时,变化相反。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同,称为扩散电容。

2、寄生电容结构

MOS管寄生电容结构如下,其中,多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
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根据MOS管规格书中对三个电容的定义我们可以知道
C i s s = C g s + C g d C_{iss}=C_{gs}+C_{gd} Ciss=Cgs+Cgd
C o s s = C d s + C g d C_{oss}=C_{ds}+C_{gd} Coss=Cds+Cgd
C r s s = C g d C_{rss}=C_{gd} Crss=Cgd
因此我们可以得到MOS管单独三个引脚之间的电容 C g s C_{gs} Cgs栅源电容、 C g d C_{gd} Cgd栅漏电容、 C d s C_{ds} Cds漏源电容。

二、MOS管电容参数

在MOS管的Datasheet中,关于引脚间电容的表述主要有以下三个参数。
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他们分别是 C i s s C_{iss} Ciss输入电容、 C o s s C_{oss} Coss输出电容、 C r s s C_{rss} Crss反向传输电容。这些电容产生于MOS管的结构和构造中、不能够完全消除。在使用MOS构建电路时,外部会使用到电阻、电容、二极管这些常用元件,而我们同时应该考虑到MOS管内部所存在的这些结电容,以免与外部电路冲突。以便在后续开发、设计、调试时能够顺利进行。接下来是对这三个参数的讲解。

1、 C i s s C_{iss} Ciss输入电容

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C i s s C_{iss} Ciss(Input Capacitance)意为输入电容。将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。 C i s s C_{iss} Ciss是由栅漏电容 C g d C_{gd} Cgd和栅源电容 C g s C_{gs} Cgs并联而成,或者 C i s s = C g s + C g d C_{iss}=C_{gs}+C_{gd} Ciss=Cgs+Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。

2、 C o s s C_{oss} Coss输出电容

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C o s s C_{oss} Coss(Output Capacitance)意为输出电容。将栅源短接,用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。 C o s s C_{oss} Coss是由漏源电容 C d s C_{ds} Cds和栅漏电容 C g d C_{gd} Cgd并联而成,或者 C o s s = C d s + C g d C_{oss}=C_{ds}+C_{gd} Coss=Cds+Cgd对于软开关的应用。

3、 C r s s C_{rss} Crss反向传输电容

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C r s s C_{rss} Crss(Reverse Transfer Capacitance)意为反向传输电容。在源极接地的情况下,测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容,即 C r s s = C g d C_{rss}=C_{gd} Crss=Cgd

三、各引脚电容对电路的影响

1、 C i s s C_{iss} Ciss对电路的影响

C i s s C_{iss} Ciss和驱动电路对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
该参数直接影响到MOS管的开关时间, C i s s C_{iss} Ciss越大,同样驱动能力下,开通和关断的时间就越慢,开关损耗就越大,降低 P D P_{D} PD值。这就是为什么要在电源电路中增加加速电路的原因,但是较慢的开关速度有比较好的EMI特性。

2、 C o s s C_{oss} Coss对电路的影响

C o s s C_{oss} Coss非常重要,主要在于它可能会引起电路的谐振。在其他方面引起的问题较少。

3、 C r s s C_{rss} Crss对电路的影响

C r s s C_{rss} Crss反向传输电容也常叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数,他影响着关断延时时间。
该电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容。同时 C r s s C_{rss} Crss引起的正反馈也非常容易引起自激振荡。

转自:
https://blog.csdn.net/supperzhan/article/details/129843665